IT之家 8 月 6 日消息 昨日晚间，决定是否对谷歌采取惩罚措施。据悉，中芯国际发布二季度财报，韩国反垄断机构近年来一直在调查谷歌是否在韩国滥用其主导地位，2021 年第二季度的销售收入为 13.4 亿美元，阻碍当地智能手机制造商使用其他公司的移动操作系统，同比增长 43.2%。第二季度毛利为 4.05 亿美元，破坏公平竞争。，同比增长 62.9%。
今日上午，中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示，“我们的 FinFET 工艺已经达产，每月 1.5 万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。（这分）产能处于紧俏状态，客户不断进来。”
IT之家了解到，前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发裁，是公司核心人才之一，参与了 FinFET 工艺研发。此前吴金刚博士离职时，中芯国际发表公告，表示离职后，吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重不利影响。
目前，台积电、三星在 5nm/7nm 工艺段都采用 FinFET 结构，而在下一世代 3nm 工艺的晶体管结构选择上，两者出现分歧。三星选择采用 GAA 结构，台积电则出于稳健考虑，选择在第一代 3nm 工艺继续沿用 FinFET 技术。
近日，三星代工厂流片了基于环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片，通过使用纳米片（Nanosheet）制造出了 MBCFET（多桥通道场效应管），可显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。三星执行裁兼代工销售和营销主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 结构的下一代工艺节点（3nm）将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界，同时加强我们的技术领先地位”。
分析称，2nm 或将是 FinFET 结构全面过渡到 GAA 结构的技术节点。在经历了 Planar FET、FinFET 后，晶体管结构将整体过渡到 GAAFET 结构上。根据国际器件和系统路线图（IRDS）的规划，在 2021-2022 年以后，FinFET 结构将逐步被 GAA 结构所取代。
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